El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm).
Véase también Arseniuro de indio Arseniuro de galio National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (IAIST). NEDO, Organización para el Desarrollo Tecnológico Industrial y de la Nueva Energía (en inglés)
Enlaces externos Se bate un nuevo récord mundial en eficiencia solar, empleando InGaAs (arseniuro de indio y galio).
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