Lanying Lin (transliteración 林兰英) (7 de febrero de 1918 – 4 de marzo de 2003) fue una científica china en el campo de la ingeniería de materiales.Guo, Kemi (1998). "Lanying Lin". Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Es considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació en una familia prestigiosa, profundamente influida por la creencia de que la mujer no necesitaba una educación. Por ello, no asistió a la escuela primaria. Pero ella luchó contra su familia por un cambio y consiguió la posibilidad de iniciar una educación formal. Se graduó por la Universidad cristiana de Fujian, con un grado de B.A. en Física."Fukien Christian University". A los treinta años, asistió a la Dickinson University y ganó otro grado en matemáticas. En 1955, recibió el doctorado en Física del estado sólido por la Universidad de Pensilvania, convirtiéndose en la primera persona china en cien años en ganar el doctorado en esa universidad. En 1957, regresó a China y fue asignada para ser investigadora en el Instituto de Física CAS. Luego se mudó al Instituto de Semiconductores CAS y ocupó toda su vida con investigaciones en esa institución.
Opiniones sobre asuntos de géneroGuo, Kemi (1998). Durante su vida, afrontó muchas dificultades por ser mujer. Después de volver de EE. UU., se unió a la Federación de Mujeres de China.Chen, Chen (1996). Dio muchas conferencias y hablaba sobre asuntos de género. Creyó que en el campo de la ciencia, mujeres y hombres son iguales.
Atribuciones y honores 1957: hizo el primer germanio monocristalino (N-estilo y P-estilo) en China, sentando las bases para el desarrollo del radio transistor. 1958: fabrica el antimoniuro de galio monocristalino 1958: noviembre, fabricado el primer silicio cristalino 1959: hizo el sulfuro de cadmio cristalino 1960: hizo los materiales extensos para el silicio 1962: fabrica el primer horno monocristalino llamado TDK en China 1962: fabrica el primer silicio monocristalino sin malposición en China 1962: se produce el primer antimoniuro de indio monocristalino con la mayor purificación 1962: primer arseniuro de galio monocristalino 1963: fabrica el primer láser semiconductor en China 1963: fabrica silicio altamente purificado y recibe el segundo premio de los Logros Nacionales en Ciencia y Tecnología 1964: Diseña el proceso de hacer silicio con baja malposición y recibe el segundo premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología 1974: fabrica el primer arseniuro de galio monocristalino sin malposición 1978: recibe el CAS Logros Importantes del Premio de Ciencia y Tecnología 1981: fabrica el circuito integrado y recibe el CAS Logros Importantes del Premio de Ciencia y Tecnología 1986: realiza el circuito integrado SOS-CMOS y recibe el tercer premio de Los Logros Nacionales en Ciencia y Tecnología 1989: investigación sobre el extenso material GaInAsSb/InP y recibe el segundo premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología 1989: realizó con éxito el experimento de fundir el arseniuro de galio en satélites artificiales y recibe el tercer premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología 1990-1991: recibió el tercer premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología cuatro veces 1991: hizo un satélite con cinco circuitos diferentes del circuito integrado SOS-CMOS 1992: hizo el fosfuro de indio monocristalino 1998: hizo células solares de arseniuro de galio licuando los materiales extensos 1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y planteó la nueva tecnología de crecimiento en materiales de alta temperatura
Actividades políticas 1962: vicepresidenta de la Federación Juvenil de toda China 1964: diciembre, diputada al congreso de la Tercera Asamblea Popular Nacional y miembro permanente de la Comisión del congreso de la Asamblea Popular Nacional 1975: enero, diputada al congreso de la Cuarta Asamblea Popular Nacional 1978: febrero, diputada al congreso de la Asamblea Popular Nacional 1978: hasta septiembre de 1983, miembro de la federación de Mujeres de toda China (ACWF) 1978: miembro del comité del Instituto chino de Electrónica (CIE) 1979: julio, directora gestora del Instituto chino de Electrónica (CIE) 1980: abril, segunda vicepresidenta de la Asociación China para la Ciencia y Tecnología (CAST) 1981: mayo, directora gestora del departamento de tecnología de la Academia china de Ciencia (CAS) 1982: septiembre, delegada de la Duodécima Conferencia Nacional del Pueblo celebrada por el Partido Comunista de China (CCP) 1983: mayo, diputada al congreso de la Sexta Asamblea Popular Nacional 1986: tercera vicepresidenta de la Asociación China para Ciencia y Tecnología (CAST) 1988: marzo, diputada en la Séptima Asamblea Nacional Popular y miembro de la Comisión permanente del congreso de la Asamblea Nacional Popular 1988: Directora honoraria del Instituto chino de Electrónica (CIE) 1991: cuarta vicepresidenta de la Asociación China para Ciencia y Tecnología (CAST) 1993: marzo, diputada en la Octava Asamblea Nacional Popular y miembro de la Comisión permanente del congreso de la Asamblea Nacional Popular 1996: Directora del Laboratorio Nacional Clave en microgravedad
Algunas publicacionesLin, Lanying (1992). Dislocations Y Precipita en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónico Abrahams-Buiocchi AguafuerteChen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01). Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAsChen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01). Interfaz Roughness Esparciendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado HeterostructuresYang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26). Crecimiento de GaAs Cristales Solos en Gravedad AltaZhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tao, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01). Mejora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecido bajo MicrogravityLin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15). Magnetospectroscopy De Atado Phonons en Pureza Alta GaAsChen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15). Influencia de #DX centros en el AlxGa12xAs barrera en la densidad de temperatura baja y movilidad del gas de electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructureYang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13). Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma en el Schottky barrera en la capa activaWu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29). Backgating Y Sensibilidad Ligera en GaAs Metal-Transistores de Efecto de Campo de SemiconductorLi, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01). Dependencia de Energía del fotón de SW Efecto en α-Si:H PelículasTian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films". 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Muy abajo-presión VLP-CVD crecimiento de calidad alta γ-Al2O3películas encima silicio por multi-proceso de pasoTan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01). Alguna observación nueva en la formación y propiedades ópticas de CdS grupos en zeolita-YChen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01). Absorción spectra de Segrupos de 8 anillos en zeolita 5UnLin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15). Crecimiento de GaSb y GaAsSb en la región de fase sola por MOVPELu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01). Crecimiento y propiedades de pureza alta LPE-GaAsLanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs". 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